SK 海力士據報以擴大中國產能作美國建廠條件

以中國產能換美國新廠

南韓記憶體晶片商 SK 海力士據報向華府提出條件：先批准它把美國晶片設備運往中國擴大生產，才會在美國興建新廠。路透社周三（14 日）引述兩名知情人士報道，SK 海力士旗下美國子公司 Solidigm 正申請美國出口許可，在 SK 海力士位於遼寧大連的廠區內，利用未用的空間加裝新設備生產 NAND 快閃記憶體晶片。

NAND 快閃記憶體用於數據中心的固態硬碟，是 AI 及雲端運算的存儲部件。大連的 NAND 廠房使用 Lam Research、Applied Materials 及 KLA 等美國大型設備商的工具。路透社指，Solidigm 申請出口許可，以及把美國新廠計劃與中國廠房掛鈎，此前都未有報道。

SK 海力士：不尋求擴產

SK 海力士向路透社發聲明表示，Mod B 廠房的設備安裝「是在與美國政府緊密磋商並獲其授權下進行」，又指 2023 年落成的大連 Mod B「沒有尋求擴大產能」。Solidigm 拒絕評論，負責出口管制的美國商務部則未有回應。

其中一名知情人士指，增加中國產量有助 Solidigm 為美國 NAND 廠籌集資金，亦可作為過渡，直至美國廠房投產。另一名消息人士指，Solidigm 最快 2027 年考慮首次公開招股，所得資金可用於興建美國廠房。

華府 2025 年收緊中國廠豁免

翻查資料，美國商務部 2025 年撤銷 SK 海力士及三星電子在中國廠房使用美國設備的豁免，稱之為「拜登年代的漏洞」，並表示只會批出維持現有運作的出口許可，不預期批准擴產或升級技術的設備。商務部 2025 年 12 月向大連廠發出 2026 年許可，但限制設備數量；2027 年的許可仍未發出。

市場研究機構 TechInsights 記憶體專家 Walt Coon 指，NAND 價格自 2023 年中至今上升約七倍，市場未來幾年預計持續緊張。SK 海力士首爾上市股份周四（15 日）在科技股普遍下跌之際下挫 11%。

來源

• Exclusive-SK Hynix conditions new US factory on more US chip equipment exports to China, sources say（Reuters，轉載）
• SK hynix Unit Seeks U.S. Nod for China Chip Tools, Reuters Says（Seoul Economic Daily）
• SK Hynix seeks US nod to expand China chip output, ties approval to US plant: Report（The Economic Times）