檢方揭 CXMT 合肥計劃 620 道工序抄自三星

一份 2016 年的文件，把十年後的市佔寫在前面

首爾中央地方檢察廳早前起訴 10 名前三星電子員工，指他們把公司的 DRAM 核心技術交予中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）。近日流出的法庭文件披露，這宗案件的核心是一份代號「合肥計劃」的內部文件，2016 年 8 月訂立，距離 CXMT 在安徽合肥成立只有數個月。

檢方指，計劃由 CXMT 的研發負責人主持，該人此前是三星的 DRAM 開發主管。文件把目標分階段列明：9 月取得三星的製程配方（Process Recipe Plan，簡稱 PRP）資料庫，10 月起挖角三星的關鍵工程師。檢方形容，合肥計劃並非零星洩密，而是 CXMT 整套 DRAM 開發計劃。

620 道工序，一條一條手抄出來

起訴書指，PRP 文件涵蓋約 620 道技術工序，內容包括設備、耗材與製程條件，等同三星 10 納米級 DRAM 量產的完整配方。檢方指這批資料屬國家核心技術，三星耗時約五年、投入約 1.6 兆韓圜開發，當時全球只有三星能夠量產這個級別的產品。

調查發現，其中一名前三星研究員為繞過公司的電子防護，把 600 多道製程步驟逐條手抄，連氣體比例、溫度與設備設定都一併帶走。該名姓全的研究員已被判囚 7 年，並在今次審訊中成為關鍵證人。

十人被起訴 五人被捕

檢方以違反《產業技術保護法》起訴 10 人，當中 5 人被捕，另外 5 人包括 CXMT 員工在內以非羈押方式起訴。被起訴者當中 5 人屬關鍵研發人員，包括一名前高層，其餘為研發及研究部門的組長級人員。該法例限制國家核心技術外流海外。

翻查資料，CXMT 成立不久便延攬一名三星前副總裁出任研究部門主管，檢方指該人其後負責物色並挖角三星的關鍵工程師。三星與 CXMT 未有回應傳媒查詢。

由 18 納米起步 到全球一成

檢方指，CXMT 最初是憑前三星員工的經驗複製 18 納米製程，其後把取得的資料調校至配合自家設備。2023 年，CXMT 量產中國首批 10 納米級 DRAM；2024 年開始量產 HBM2，較外界原先預計早約兩年。

市場研究公司 Counterpoint Research 周二（1 日）公布，CXMT 在今年第二季佔全球 DRAM 市場一成，一年前同期僅為 4%，今年第一季則為 8%。同季三星佔 38%，SK 海力士佔 25%。CXMT 並計劃在 2028 年前把月產能提升至 60 萬片晶圓。

南韓過往同類案件的刑期遠低於此。翻查資料，一名 SK 海力士工程師早前因外洩技術被判囚 18 個月。

來源

• Chinese chipmaker CXMT allegedly used a written roadmap to steal Samsung DRAM tech（Tom's Hardware）
• Ten former Samsung employees charged over DRAM technology leak to China（TechSpot）