Micron 發表 512GB DDR5 伺服器記憶體模組
美國記憶體晶片商 Micron 周二(15 日)晚上 9 時(香港時間)發表新聞稿,宣布開發出容量 512GB 的 DDR5 RDIMM(伺服器專用的帶緩衝記憶體模組),稱是全球首款同級產品,傳輸速度最高 9,200 MT/s。Micron 現有的 256GB DDR5 伺服器模組,速度同樣是 9,200 MT/s。
按 Micron 的說法,一台設有 24 個記憶體插槽的雙處理器伺服器全數插上新模組,記憶體可達 12TB。
一條 512GB 耗電 16W,四條 128GB 要 44.2W
Micron 在新聞稿指,一條 512GB 模組運作時耗電 16.0W,改用四條 128GB 模組湊出同樣容量則要 44.2W,耗電少逾六成。公司又稱,以 Apache Spark 跑數據分析工作時,新模組的效能比 256GB 模組高最多 1.4 倍。
項目 | 數字 |
|---|---|
單條容量 | 512GB |
最高速度 | 9,200 MT/s |
耗電(一條 512GB) | 16.0W |
耗電(四條 128GB) | 44.2W |
24 插槽雙處理器伺服器上限 | 12TB |
量產時間 | 2027 年下半年 |
新模組把多顆 DRAM 晶粒垂直堆疊,再以矽穿孔(TSV,貫穿晶片的垂直導線)連接,在同一條模組上放入更多容量。據 Tom's Hardware 報道,Micron 未有披露模組用了哪款 DRAM 晶片、堆疊了多少顆。
AMD 與 Intel 正在驗證,2027 年下半年量產
Micron 表示,AMD 與 Intel 正在旗下多個伺服器平台上驗證新模組,預計 2027 年下半年按客戶需要進入量產。Micron 高級副總裁兼雲端記憶體業務部總經理 Raj Narasimhan 指,新產品讓客戶「把更大的數據集放在更接近運算核心的地方」。
Intel 數據中心部門平台及系統工程總經理 Karin Eibschitz Segal 在同一份新聞稿表示,Intel 正與 Micron 緊密合作驗證 512GB 模組,以支援未來的伺服器平台。摩根大通基礎設施平台資訊總監 Darrin Alves 則指,更高容量的記憶體有助企業應付更大規模的記憶體內運算工作。
用途是 AI 及數據中心伺服器
Micron 列出的用途包括數據分析、記憶體內數據庫、模擬運算、虛擬化及 AI 代理(agentic AI)等需要大量記憶體和高核心數處理器的工作。RDIMM 只用於伺服器平台,一般家用電腦的主機板並不支援。
記憶體供應正緊張
新模組在記憶體供應緊張期間發表。翻查資料,韓國 KB Securities 9 月 7 日發表報告指,Samsung 與 SK hynix 第三季手上的記憶體庫存已不足 10 日,AI 伺服器所需的高頻寬記憶體(HBM)正大量佔用 DRAM 產能。
來源
- Micron Advances Memory Innovation With the World's First Ultra-Dense Module for Next-Generation Servers(原始新聞稿)
- Micron announces 512GB DDR5-9200 memory modules with 16W power draw(Tom's Hardware)
- Samsung and SK hynix Memory Inventories Crash Below 10 Days as AI Demand Triggers Historic Shortage(Wccftech,KB Securities 庫存報告)




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