三星將用台積電 3 納米製程生產 NVIDIA 記憶體基底晶片
據韓國《首爾經濟日報》10 月 18 日報道，三星電子將採用台積電的 3 納米製程，為 NVIDIA 下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）NVHBM 生產基底晶片（base die）。路透社轉述報道指，這將是三星首次在 HBM 製造階段與台積電合作，而兩家公司在晶圓代工市場是直接對手。
報道引述業界消息指，NVIDIA 已要求三星、SK 海力士及美光三家記憶體廠，NVHBM 的基底晶片一律採用台積電製程，核心晶片則採用第六代 1c DRAM 技術。三星經內部評估後接受要求，但標準 HBM 及其他客戶的客製產品，仍會沿用自家生產。截至 18 日，三星、台積電及 NVIDIA 均未公開確認有關安排。
NVHBM 把記憶體控制器由 GPU 搬到基底晶片
基底晶片位於 HBM 堆疊的最底層，由決定數據傳輸速度的邏輯電路組成。NVIDIA 在 8 月公布 NVHBM，特點是把原本放在 GPU 上的記憶體控制器移到基底晶片，騰出 GPU 的空間加入更多運算電路。
《首爾經濟日報》指，為容納控制器，NVHBM 與外部晶片交換訊號的實體層電路比標準 HBM 縮小 60%，記憶體頻寬最多可比第七代 HBM4E 高 30%，功耗則低 15%。要在有限面積放入更多電路，需要 3 納米級的精細製程。
良率差距：台積電逾九成，三星約六成
製程 | 業界估計良率 |
|---|---|
台積電 3 納米 | 逾 90% |
三星晶圓代工 2 納米 SF2（可比製程） | 約 60% |
良率是每片晶圓中可用晶片所佔的比例，直接影響生產成本。報道指，按業界上述估計，NVIDIA 把基底晶片集中交由台積電生產，是較穩妥的選擇。
明年 HBM 供應料短缺約一成
比技術更大的因素是供應。據報道引述瑞銀預測，明年 HBM 需求約 615 億 Gb，較今年增加 91%，但記憶體廠的新增出貨只有約 546 億 Gb，供應缺口約一成。
三星的 4 納米基底晶片產線只設於華城 17 號線及平澤 P3 廠的部分產線，難以消化 NVHBM 這類客製訂單。台積電則在第三季業績會上表示，會在台南 Fab 18 新增兩條 3 納米產線，分別在明年上半年及後年上半年量產，美國亞利桑那州及日本熊本的第二座廠亦會設 3 納米產線。
三星仍在驗證自家 2 納米方案
報道又指，三星同時在自家 2 納米製程驗證 NVHBM 基底晶片的生產，以防台積電產能觸頂。一名業界人士對該報表示：「台積電的 3 納米產線也要生產高效能運算及手機晶片，可分配的產量可能有上限。」另一名業界專家則指，兩家公司四年前已在台積電的 CoWoS 先進封裝合作，今次在全球記憶體短缺下再度聯手，對行業有重大意義。
No comments yet
提交留言即表示你已閱讀我們的私隱政策。